Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 > Keresés "félvezetők"

  félvezetők  (93 885 ajánlat 4 412 119 cikkből)

Hasonló keresőfogalmak optimalizált találati listával:
A következő szűrők segítenek a „félvezetők“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
% ^v
Kép
Megrendelés
vissza
100%
ROHM RF501BGE2STL Dióda 500mA, 200V Szilícium átmenet, 3-tüskés, TO-252GE (1 ajánlat) 
Maximális továbbítási áram = 500mA Elemek száma chipenként = 1 Maximális záró irányú csúcsfeszültség = 200V Csomag típusa = TO-252GE Dióda technológia = Szilícium átmenet Tüskék száma = 3
ROHM Semiconductor
RF501BGE2STL
kezdő: HUF 174,00*
db-ként
 
 db
100%
ROHM RGW00TS65DHRC11 IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65DHRC11
kezdő: HUF 2 264,00*
db-ként
 
 db
100%
Infineon
ICL5102HVXUMA1
kezdő: HUF 433,00*
db-ként
 
 db
100%
ROHM RF601BGE2DTL Dióda 600mA, 200V Szilícium átmenet, 3-tüskés, TO-252GE (1 ajánlat) 
Maximális továbbítási áram = 600mA Elemek száma chipenként = 2 Maximális záró irányú csúcsfeszültség = 200V Csomag típusa = TO-252GE Dióda technológia = Szilícium átmenet Tüskék száma = 3
ROHM Semiconductor
RF601BGE2DTL
kezdő: HUF 188,00*
db-ként
 
 db
100%
ROHM RGW00TS65HRC11 IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 254 W Csomag típusa = TO-24...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65HRC11
kezdő: HUF 1 624,00*
db-ként
 
 db
100%
Rezonáns vezérlő ST-ONE 36-tüskés, SSOP36 (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Méret = 15.6 x 10.55 x 2.65mm Csomag típusa = SSOP36
ST Microelectronics
ST-ONE
kezdő: HUF 1 620 615,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
100%
RF bipoláris tranzisztor BFR360L3E6765XTMA1, 35 mA, 15 V, 3-tüskés (1 ajánlat) 
Maximális DC kollektoráram = 35 mA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 15 V Csomag típusa = TSLP-3-1 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
BFR360L3E6765XTMA1
kezdő: HUF 189,185*
5 db-ként
 
 csomagok
100%
ROHM RFL30TZ6SGC13 kapcsolódióda 30A, 650V Epitaxiális síktranzisztor, TO-247GE-2L (1 ajánlat) 
Maximális továbbítási áram = 30A Elemek száma chipenként = 1 Maximális záró irányú csúcsfeszültség = 650V Csomag típusa = TO-247GE-2L Dióda technológia = Epitaxiális síktranzisztor
ROHM Semiconductor
RFL30TZ6SGC13
kezdő: HUF 896,00*
db-ként
 
 db
100%
ROHM RGW60TS65DHRC11 IGBT N-csatornás, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 178 W Csomag típusa = TO-24...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65DHRC11
kezdő: HUF 1 441,00*
db-ként
 
 db
100%
RF adó S2-LPTXQTR, 24-tüskés, QFN (1 ajánlat) 
Csomag típusa = QFN Tüskék száma = 24 Méret = 4.15 x 4.15 x 4.15mm
ST Microelectronics
S2-LPTXQTR
kezdő: HUF 438,00*
db-ként
 
 db
100%
ROHM RFN10BGE3STL Dióda 1A, 350V Szilícium átmenet, 3-tüskés, TO-252GE (1 ajánlat) 
Maximális továbbítási áram = 1A Elemek száma chipenként = 2 Maximális záró irányú csúcsfeszültség = 350V Csomag típusa = TO-252GE Dióda technológia = Szilícium átmenet Tüskék száma = 3
ROHM Semiconductor
RFN10BGE3STL
kezdő: HUF 131,00*
db-ként
 
 db
100%
ROHM RGW60TS65HRC11 IGBT N-csatornás, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65HRC11
kezdő: HUF 1 220,00*
db-ként
 
 db
100%
RF adó-vevő BGT24MTR12E6327XUMA1, 9-tüskés, VQFN32-9 (1 ajánlat) 
Technológia = Adó-vevő Csomag típusa = VQFN32-9 Tüskék száma = 9 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
BGT24MTR12E6327XUMA1
kezdő: HUF 3 122,00*
db-ként
 
 db
100%
Infineon
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
kezdő: HUF 57,00*
db-ként
 
 db
100%
ROHM RFN3BGE2STL Dióda 300mA, 200V Szilícium átmenet, 3-tüskés, TO-252GE (1 ajánlat) 
Maximális továbbítási áram = 300mA Elemek száma chipenként = 1 Maximális záró irányú csúcsfeszültség = 200V Csomag típusa = TO-252GE Dióda technológia = Szilícium átmenet Tüskék száma = 3
ROHM Semiconductor
RFN3BGE2STL
kezdő: HUF 158,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   5161   5162   5163   5164   5165   5166   5167   5168   5169   5170   5171   ..   6259   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.