Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modul

  IGBT modul  (1 674 ajánlat 4 472 177 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT modul“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT modul"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Infineon FF200R12KE4HOSA1 IGBT-modul, 240 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 240 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 1,1 kW Csomag típusa = ...
Infineon
FF200R12KE4HOSA1
kezdő: HUF 290 974,70*
10 db-ként
 
 csomag
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban:...
SEMIKRON DANFOSS
SKM50GB12V 22892003
kezdő: HUF 21 387,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF300R12ME7B11BPSA1 IGBT-modul, 300 A, 1200 V, AG-ECONOD 2 Sorba kötött (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 300 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Tranzisztorok száma = 2 Csomag típusa = AG-ECONOD Rögzítés típ...
Infineon
FF300R12ME7B11BPSA1
kezdő: HUF 43 577,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 172A Kollektoráram az impulzusban...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GB12T4G 22892050
kezdő: HUF 55 215,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF900R12IE4BOSA1 IGBT-modul N-csatornás, 900 A, 1200 V, 10-tüskés, PrimePACK2 Sorba kötött (2 ajánlat) 
IGBT modulok, Infineon. Az IGBT modulok Infineon tartománya alacsony kapcsolási veszteséget kínál akár 60 Khz-es frekvenciákra történő kapcsoláshoz. Az IGBT-k a különböző teljesítménymodulok között...
Infineon
FF900R12IE4
kezdő: HUF 154 759,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: HUAJING Tokozás: V1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 200A Alkalmazás:...
HUAJING
HFGM75D12V1
kezdő: HUF 13 049,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF900R17ME7B11BPSA1 IGBT-modul, 900 A, 1700 V 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 900 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1700 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW
Infineon
FF900R17ME7B11BPSA1
kezdő: HUF 104 592,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 169A Kollektoráram az impulzusban...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GB12VG 22892052
kezdő: HUF 55 112,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF225R17ME7B11BPSA1 IGBT-modul, 225 A, 1700 V 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 225 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1700 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW
Infineon
FF225R17ME7B11BPSA1
kezdő: HUF 472 893,50*
10 db-ként
 
 csomag
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 319A Kollektoráram az impulzusban...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GB12V 22892073
kezdő: HUF 110 264,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF450R07ME4B11BPSA1 IGBT-modul, 240 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 240 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 1,1 kW Csomag típusa = ...
Infineon
FF450R07ME4B11BPSA1
kezdő: HUF 358 602,80*
10 db-ként
 
 csomag
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektoráram az impulzusban...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GB126D 22890633
kezdő: HUF 80 117,00*
db-ként
 
 db
Infineon FP100R06KE3BOSA1 IGBT-modul, 100 A, 600 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 100 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 335 W Csomag típusa = Mo...
Infineon
FP100R06KE3BOSA1
kezdő: HUF 447 347,90*
10 db-ként
 
 csomag
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1,2kV (1 ajánlat) 
Gyártó: SEMIKRON DANFOSS Tokozás: SEMITRANS2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GB12T4 22892020
kezdő: HUF 24 066,00*
db-ként
 
 db
Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT-modul, 100 A, 1200 V 7 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 100 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 515 W
Infineon
FP100R12KT4B11BOSA1
kezdő: HUF 62 295,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   ..   112   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.