Mercateo

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

91%

MOSFET, 1,7 A, 400 V, IPAK (TO-251) (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 400 V Csomag típusa = IPAK (TO-251) Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

IRFU310PBF

kezdő: HUF 121,00*
db-ként

91%

MOSFET, 3,1 A, 100 V, IPAK (TO-251) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 3,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = IPAK (TO-251) Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

IRFU9110PBF

kezdő: HUF 150,00*
db-ként

91%

Infineon IPS65R1K0CE tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPS65R1K0CEAKMA2

kezdő: HUF 6 266,8005*
75 db-ként

91%

MOSFET, 3,1 A, 100 V, IPAK (TO-251) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 3,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = IPAK (TO-251) Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

IRFU9110PBF

kezdő: HUF 149,00*
db-ként

91%

MOSFET, 5,3 A, 500 V, IPAK (TO-251) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 500 V Csomag típusa = IPAK (TO-251) Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

SIHU5N50D-GE3

kezdő: HUF 173,00*
db-ként

91%

MOSFET, 5,3 A, 500 V, IPAK (TO-251) (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 500 V Csomag típusa = IPAK (TO-251) Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

SIHU5N50D-GE3

kezdő: HUF 181,00*
db-ként

91%

Tirisztor; 600V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 200uA; IPAK; SMD; tekercs,szalag (1 ajánlat)

Gyártó: STMicroelectronics Szerelés: SMD Tokozás: IPAK Max ellenfeszültség: 0,6kV Max. vezetési áram: 8A Vezetési áram: 5A Kapuáram: 0,2mA Impulzusáram max.: 70A Fajta csomagolás: szalag;tekercs Fé...

ST Microelectronics

TS820-600H

kezdő: HUF 141,00*
db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 4,1 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres (2 ajánlat)

E sorozatú MOSFET tápegységKis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Ciss) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök táp...

Vishay

SIHU4N80AE-GE3

kezdő: HUF 258,00*
db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 71 A, 60 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 71 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás =...

Infineon

IRFU7546PBF

kezdő: HUF 280,00*
db-ként

91%

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 650 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres (1 ajánlat)

Az MDmesh™ egy új, forradalmi Power MOSFET technológia, amely a vállalat PowerMESH™ vízszintes elrendezéséhez kapcsolódik a többprocesszoros folyamathoz. A kapott termék rendkívül alacsony ellenáll...

ST Microelectronics

STD5NM60T4

kezdő: HUF 359,00*
db-ként

91%

MOSFET, 2 elem/chip, 33 A, 150 V, 3-tüskés, IPAK HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes Elemek...

Infineon

IRFU4615PBF

kezdő: HUF 335,00*
db-ként

91%

Infineon IRFU4615 tranzisztor 80 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFU4615PBF

kezdő: HUF 267,00*
db-ként

91%

Infineon IRFU4510 tranzisztor 60 V (3 ajánlat)

Infineon

IRFU4510PBF

kezdő: HUF 265,00*
db-ként

91%

Infineon IRFU7546 tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

IRFU7546PBF

kezdő: HUF 13 230,80025*
75 db-ként

91%

MOSFET, 2 elem/chip, 56 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes Elemek...

Infineon

IRFU4510PBF

kezdő: HUF 228,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .. 24 előre

ipaky (349 ajánlat 4 295 505 cikkből)