MOSFET a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (189/1 496 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9530PBF

kezdő: HUF 18 730,80*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP11NM80

kezdő: HUF 38 674,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW120NF10

kezdő: HUF 485,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 12 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDMA908PZ

kezdő: HUF 2 338,30*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220F SuperFET II Egyszeres Si (1 ajánlat)

SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...

onsemi

FCPF400N80Z

kezdő: HUF 4 271,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Piacvezető 16 mΩ RDS(be) 1200 V VBR (minimum) a teljes működési hőmérsékleti tartományban [-40 ˚C - 175 ˚C] +15 V bálakamra-ajtó hajtás feszültség Kis impedanciájú csomag Kelvin forrástűvel >8 mm á...

Wolfspeed

C3M0016120K

kezdő: HUF 29 463,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STL110N10F7

kezdő: HUF 4 913,80*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4178DY-T1-GE3

kezdő: HUF 76,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN140N30P

kezdő: HUF 108 069,50*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, VSONP NexFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Texas Instruments

CSD19531Q5AT

kezdő: HUF 393,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP12NM50

kezdő: HUF 27 328,70*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 900 V, 7-tüskés, TO-263-7 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...

Wolfspeed

C3M0280090J

kezdő: HUF 3 399,80*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) NTD5C446N Egyszeres (2 ajánlat)

40 V, 3,2 m, 110 A, egy N-csatorna, DPAKAlacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Minimális vezetési veszteségek Nagy áramterhelés Robusztus terhelési teljesítmény 100%-osan lavinaálló Túlfeszültség ...

onsemi

NTD5C446NT4G

kezdő: HUF 421,00*
db-ként