MOSFET a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (193/1 496 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 55 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 55V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokból, amely...

Infineon

IRFP064NPBF

kezdő: HUF 15 796,40*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STD16N65M5

kezdő: HUF 576,00*
db-ként

Infineon IPB120N06S4-02 tranzisztor 60 V (2 ajánlat)

Infineon

IPB120N06S402ATMA2

kezdő: HUF 495,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 850 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = SOT-227 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...

IXYS

IXFN110N85X

kezdő: HUF 19 752,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STP16N65M5

kezdő: HUF 710,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 12 V, 6-tüskés, PowerPAK SC-70 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SIA447DJ-T1-GE3

kezdő: HUF 50,00*
db-ként

Infineon IPB029N06N3 G tranzisztor 55 V (2 ajánlat)

Infineon

IPB029N06N3GATMA1

kezdő: HUF 258,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 X2-Class Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...

IXYS

IXTH12N65X2

kezdő: HUF 1 027,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86252L

kezdő: HUF 294,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

IPP032N06N3GXKSA1

kezdő: HUF 2 416,10*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

2N7002LT1G

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 950 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh K5, SuperMESH5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-channel MDmesh™ K5 sorozat, SuperMESH5™ STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP15N95K5

kezdő: HUF 945,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 20 V, 6-tüskés, PowerPAK SC-70 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIA461DJ-T1-GE3

kezdő: HUF 52,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 60 V, 3-tüskés, TO-263AB RJ1L12BGN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 120 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TO-263AB Sorozat = RJ1L12BGN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma =...

ROHM Semiconductor

RJ1L12BGNTLL

kezdő: HUF 1 362,00*
2 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

2N7002LT1G

kezdő: HUF 641,00*
50 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 .. 1496 előre

MOSFET (22 440 ajánlat 4 426 386 cikkből)

"MOSFET"