MOSFET a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (205/1 494 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW15NK90Z

kezdő: HUF 40 522,80*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 250 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

FDMS2734

kezdő: HUF 2 657 644,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFP244PBF

kezdő: HUF 409,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15,2 A, 200 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

BSC900N20NS3GATMA1

kezdő: HUF 2 319,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

RFD14N05LSM9A

kezdő: HUF 98,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDS8896

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP14NF10

kezdő: HUF 150,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15,7 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDD850N10L

kezdő: HUF 152,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 500 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB14NK50ZT4

kezdő: HUF 679 764,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Alacsony fogyasztó-forrási ellenállás: RDS(ON) = 28 mΩ (jell.) (VGS = -10 V esetén) Alacsony szivárgó áram: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = -40 V) Javítási mód: Vth = -0,8-től -2,0 V-ig (VDS = -10 V, ID...

Toshiba

TJ15P04M3

kezdő: HUF 207 641,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Q-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFH15N100Q3

kezdő: HUF 151 133,8002*
30 db-ként