Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 403 ajánlat 4 295 766 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO264 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 44A Ellenállás vezetési állapotban: 90mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 113...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66F60L
kezdő: HUF 7 833,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH40N (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
kezdő: HUF 4 870,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 7,6A; TO220FP; 340ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO220FP Újraéledési idő: 340ns Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 7,6A Ellenállás vezetési állapotban: 0,2Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Polaritás: egysar...
IXYS
IXKP20N60C5M
kezdő: HUF 671,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 700 V, 4-tüskés, TO-247-4 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
A COOL MOS™ C7 sorozat Infineon-es kialakítása ötvözi a vezető SJ MOSFET beszállító tapasztalatait a magas szintű innovációval. A termékportfólió a gyors kapcsolású szuper junction MOSFET-EK minden...
Infineon
IPZ65R065C7XKSA1
kezdő: HUF 1 271,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 70 V, 4-tüskés, DM TetraFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, Semelab
Semelab
D1017UK
kezdő: HUF 638 579,20*
25 db-ként
 
 csomag
Infineon
IPP60R360P7XKSA1
kezdő: HUF 317,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 315 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L N-Channel 40 V (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony...
Vishay
SQJ138ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 619 506,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: ISOPLUS247™ Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 47A Ellenállás vezetési állapotban: 45mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 278W Polaritás...
IXYS
IXKR47N60C5
kezdő: HUF 6 535,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 STO67N60DM6 Si (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET az MDmesh DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony h...
ST Microelectronics
STO67N60DM6
kezdő: HUF 1 851,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 7,8A; 147W; D2PAK,TO263 (1 ajánlat) 
Gyártó: VISHAY Szerelés: SMD Tokozás: D2PAK;TO263 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 7,8A Ellenállás vezetési állapotban: 0,38Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 147W Polar...
Vishay
SIHB12N60E-GE3
kezdő: HUF 384,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33.6 A, 100 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 33.6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...
Vishay
SQJ211ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 241,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 80 V, 4-tüskés, PQFN 5 x 6 HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A HEXFET® teljesítmény MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok Infineon-je a „fém-oxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”;. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A...
Infineon
IRFH8311TRPBF
kezdő: HUF 250,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: SMD Tokozás: PG-TO252-3 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 6A Ellenállás vezetési állapotban: 0,536Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztá...
Infineon
IPD60R280CFD7
kezdő: HUF 647,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 IPP019N08NF2S (1 ajánlat) 
A Infineon IPP019N08NF2S az N csatornás teljesítmény MOSFET. a mosfet leeresztő forrás feszültsége a 80 V. Sokféle alkalmazást támogat, és a standard érintkezőkiosztás lehetővé teszi a leejtést. Ez...
Infineon
IPP019N08NF2SAKMA1
kezdő: HUF 632,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 47A; 417W; TO247 (1 ajánlat) 
Gyártó: ONSEMI Szerelés: THT Tokozás: TO247 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 47A Ellenállás vezetési állapotban: 70mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 417W Polaritás: eg...
onsemi
FCH47N60-F133
kezdő: HUF 3 201,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   801   802   803   804   805   806   807   808   809   810   811   ..   1494   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.