Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 441 ajánlat 4 387 111 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 40 V, 3-tüskés, SOT-23 DMN4035 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMN4035 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Diodes
DMN4035L-7
kezdő: HUF 74,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 60V; 6,5A; Idm: 60A; 2,1W; SO8 (1 ajánlat) 
Gyártó: DIODES INCORPORATED Szerelés: SMD Tokozás: SO8 Drén - forrás feszültség: 60V Drén áram: 6,5A Ellenállás vezetési állapotban: 21mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 2,1W Po...
Diodes
DMT6013LSS-13
kezdő: HUF 87,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
ROHM Semiconductor
R6504END3TL1
kezdő: HUF 155,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 60V; 48A; 100W; TO220AB (1 ajánlat) 
Gyártó: ONSEMI Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Drén - forrás feszültség: 60V Drén áram: 48A Ellenállás vezetési állapotban: 40mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 100W Polaritás: e...
onsemi
NDP6060L
kezdő: HUF 789,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 408 A, 80 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) OptiMOS™ 5 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 408 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ 5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Infineon
IPTG011N08NM5ATMA1
kezdő: HUF 1 890,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 30 V, 6-tüskés, PQFN 2 x 2 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PQFN 2 x 2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Elemek száma chi...
Infineon
ISK036N03LM5
kezdő: HUF 190,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 IMW1 Si (2 ajánlat) 
A TO247-3 tokozású Infineon CoolSiC™ 350 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium...
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
kezdő: HUF 1 092,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 60V; 62A; 115W; D2PAK (1 ajánlat) 
Gyártó: ONSEMI Szerelés: SMD Tokozás: D2PAK Drén - forrás feszültség: 60V Drén áram: 62A Ellenállás vezetési állapotban: 34mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 115W Polaritás: egy...
onsemi
FDB13AN06A0
kezdő: HUF 503,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 700 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
A COOL MOS™ Infineon-kialakítása egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A le...
Infineon
IPSA70R1K4P7SAKMA1
kezdő: HUF 109,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (2 ajánlat) 
A Infineon sorozat ötödik generációs HEXFET International Rectifier hasznosítani Advanced feldolgozási technikák elérése rendkívül alacsony ellenállás szilícium területen. Ez az előnyök, valamint a...
Infineon
IRFZ44ESTRLPBF
kezdő: HUF 202,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB068N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB068N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Vishay
SIHB068N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 088,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 60V; 5,3A; Idm: 30A; 1,1W; SO8 (1 ajánlat) 
Gyártó: DIODES INCORPORATED Szerelés: SMD Tokozás: SO8 Drén - forrás feszültség: 60V Drén áram: 5,3A Ellenállás vezetési állapotban: 55mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Alkalmazás: autóipar Teljesítm...
Diodes
DMN6040SSDQ-13
kezdő: HUF 91,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 300 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”;. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A ″térhatás″ azt jelenti, ...
Infineon
IPP410N30NAKSA1
kezdő: HUF 2 338,00*
db-ként
 
 db
Infineon IAUZ40N10S5N130 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1
kezdő: HUF 145,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPA029N06NM5S tranzisztor 60 V (2 ajánlat)
Infineon
IPA029N06NM5SXKSA1
kezdő: HUF 441,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   841   842   843   844   845   846   847   848   849   850   851   ..   1497   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.