Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 425 ajánlat 4 424 969 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Infineon IPI65R190CFD tranzisztor 650 V (1 ajánlat)
Infineon
IPI65R190CFDXKSA1
kezdő: HUF 640,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 60 V, 8-tüskés, TDSON (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenké...
Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1
kezdő: HUF 113,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPP65R065C7 tranzisztor 650 V (1 ajánlat)
Infineon
IPP65R065C7XKSA1
kezdő: HUF 2 781,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC Power SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SiC Power Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...
onsemi
NTH4L060N090SC1
kezdő: HUF 1 254 492,2025*
450 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Újraéledési idő: 0,35µs Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 20A Ellenállás vezetési állapotban: 0,185Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény el...
IXYS
IXTP20N65X2
kezdő: HUF 941,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Vishay
SiHP6N80AE-GE3
kezdő: HUF 379,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 11,4A; 32W; TO220FP (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO220FP Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 11,4A Ellenállás vezetési állapotban: 0,31Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
Infineon
IPA65R310CFDXKSA1
kezdő: HUF 462,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E-Series (1 ajánlat) 
A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósá...
Vishay
SIHB053N60E-GE3
kezdő: HUF 1 485,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 18A; 101W; PG-TO263-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: SMD Tokozás: PG-TO263-3 Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 18A Ellenállás vezetési állapotban: 0,125Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény eloszt...
Infineon
IPB65R125C7ATMA1
kezdő: HUF 1 133,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47,6 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SIR5110DP-T1-RE3
kezdő: HUF 603,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 34A; 540W; TO268HV; 390ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268HV Újraéledési idő: 390ns Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 34A Ellenállás vezetési állapotban: 96mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
IXYS
IXTT34N65X2HV
kezdő: HUF 2 071,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 46.2 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH4008LPDW (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46.2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMTH4008LPDW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...
Diodes
DMTH4008LPDW-13
kezdő: HUF 284 220,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Újraéledési idő: 0,35µs Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 20A Ellenállás vezetési állapotban: 0,21Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elo...
IXYS
IXTH20N65X
kezdő: HUF 2 177,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 5,2 A, 1700 V, 7-tüskés, TO-263-7 IMBF1 (1 ajánlat) 
A TO-263-7 magas levezetési tokozású Infineon CoolSiC™ 1000 V, 1700 m-es SIC MOSFET-et úgy optimalizálták, hogy repülésre alkalmas topológiákat lehessen használni a DC-kapcsolati feszültségekhez cs...
Infineon
IMBF170R1K0M1XTMA1
kezdő: HUF 1 102,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47,6 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SIR5110DP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 358 874,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   871   872   873   874   875   876   877   878   879   880   881   ..   1495   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.