Schottky dióda  (8 620 ajánlat 4 472 177 cikkből)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csomag típusa = SOD-882 Maximális folyamatos továbbítási áram = 10mA Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség = 5V Sorozat = RB Dióda típusa = Schottky Tüskék sz...

Gyártó: BASiC SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Max. vezetési áram: 30A Max. vezetési feszültség: 1,75V Vezetési áram: 15A x2 Félvezető struktúra: közös katód;...

Schottky-dióda, Típus=SK84-3G, Előremenő feszültség (Vf)=530 mV, Hőellenállás=50 K/W, Ismétlődő záróirányú csúcsfeszültség (Vrrm)=40 V, Kapacitás=340 pF, Max. záróáram=60 µA, Nem periodikus lökőára...

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csomag típusa = WDFN Maximális folyamatos továbbítási áram = 5A Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség = 100V Egyenirányító típusa = Schottky egyenirányító Dió...

A Infineon CoolSiC™ Schottky dióda 5 1200 V-os generációja, a TO-247-3 csomagban lévő 20 A a a SiC Schottky barrier diódák vezető élű technológiáját mutatja be. A G2-vel már bevezetett vékony ostya...

SiC Schottky-dióda, Típus=UJ3D1210KSD, Előremenő feszültség (Vf)=1.4 V, Hőellenállás=430 mW/°C, Ismétlődő záróirányú csúcsfeszültség (Vrrm)=1.2 kV, Kapacitás=500 pF, Max. záróáram=800 µA, Nem perio...

Az NSVR201MX egy RF schottky-gát dióda X2DFN2 csomaggal. Ez a készülék alkalmas nagyfrekvenciás keverésre. Az alacsony előremeneti feszültség és az alacsony kapacitív magas frekvenciájú (például al...

Gyártó: ROHM SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO220AC Max ellenfeszültség: 1,2kV Max. vezetési áram: 68A Max. vezetési feszültség: 1,6V Vezetési áram: 15A Félvezető struktúra: egyetlen dióda Im...

SiC Schottky-dióda, Típus=UJ3D06520KSD, Előremenő feszültség (Vf)=1.5 V, Hőellenállás=820 mW/°C, Ismétlődő záróirányú csúcsfeszültség (Vrrm)=650 V, Kapacitás=654 pF, Max. záróáram=300 µA, Nem perio...

A ON Semiconductor FFSM sorozat szilícium-karbid schottky diódák egy teljesen új technológiát használnak, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és nagyobb megbízhatóságot nyújt a szilíciumhoz képes...

Gyártó: WeEn Semiconductors Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Max ellenfeszültség: 1,2kV Max. vezetési áram: 20A Max. vezetési feszültség: 1,4V Vezetési áram: 10A x2 Félvezető struktúra: közös katód;d...

SiC Schottky-dióda, Típus=UJ3D1202TS, Előremenő feszültség (Vf)=1.4 V, Hőellenállás=1.5 W/°C, Ismétlődő záróirányú csúcsfeszültség (Vrrm)=1.2 kV, Kapacitás=109 pF, Max. záróáram=200 µA, Nem periodi...

A szilícium-karbid (SiC) Schottky-diódák olyan teljesen új technológiát használnak, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és nagyobb fokú megbízhatóságot biztosít a szilíciumhoz képest. A fordított...

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: PG-TO220-2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Max. vezetési feszültség: 1,65V Vezetési áram: 16A Félvezető struktúra: egyetlen dióda Impulzusáram max.: ...

SiC Schottky-dióda, Típus=UJ3D1205TS, Előremenő feszültség (Vf)=1.4 V, Hőellenállás=850 mW/°C, Ismétlődő záróirányú csúcsfeszültség (Vrrm)=1.2 kV, Kapacitás=250 pF, Max. záróáram=400 µA, Nem period...