Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 > Keresés "silicon power"

  silicon power  (721 ajánlat 4 399 610 cikkből)

Hasonló keresőfogalmak optimalizált találati listával:
A következő szűrők segítenek a „silicon power“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
% ^v
Kép
Megrendelés
vissza
94%
Silicon Labs Mikrovezérlő C8051F, 28-tüskés QFN, 768 B RAM, 8bit bites (1 ajánlat) 
C8051F35x mikrokontrollerek, Silicon Labs. A Silicon Labs C8051F35x analóg intenzív, kevert jelű 8 bites mikrokontrollerek (MCU) egy 16 bites vagy 24 bites szigma-delta ADC alrendszer részét képezi...
Silicon Laboratories
C8051F353-GM
kezdő: HUF 2 044,00*
db-ként
 
 db
94%
Silicon Labs Mikrovezérlő C8051F, 28-tüskés QFN, 768 B RAM, 8bit bites (1 ajánlat) 
C8051F35x mikrokontrollerek, Silicon Labs. A Silicon Labs C8051F35x analóg intenzív, kevert jelű 8 bites mikrokontrollerek (MCU) egy 16 bites vagy 24 bites szigma-delta ADC alrendszer részét képezi...
Silicon Laboratories
C8051F353-GM
kezdő: HUF 2 042,00*
db-ként
 
 db
94%
Silicon Labs Mikrovezérlő C8051F, 32-tüskés LQFP, 768 B RAM, 8bit bites (1 ajánlat) 
C8051F35x mikrokontrollerek, Silicon Labs. A Silicon Labs C8051F35x analóg intenzív, kevert jelű 8 bites mikrokontrollerek (MCU) egy 16 bites vagy 24 bites szigma-delta ADC alrendszer részét képezi...
Silicon Laboratories
C8051F350-GQ
kezdő: HUF 4 076,00*
db-ként
 
 db
94%
j5create
JCD395-N
kezdő: HUF 28 537,00*
db-ként
 
 db
92%
Fejlesztői készlet, SLWSTK6007A, Drótnélküli indulókészlet, EFR32MG12 Wireless SoC, EFR32MG12 Mighty Gecko vezeték (1 ajánlat) 
A Wi-SUN Wireless Starter Kit (WSTK) with 868-915 MHz Radio Boards (BRD4170A) is an excellent starting point to get familiar with the EFR32™ FG12 and MG12 Wireless System-on-Chip solutions. It prov...
Silicon Laboratories
SLWSTK6007A
kezdő: HUF 186 428,00*
db-ként
 
 db
92%
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL35N65G2V SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance ...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
kezdő: HUF 4 417,00*
db-ként
 
 db
91%
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 214,00*
db-ként
 
 db
91%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT50N120
kezdő: HUF 10 091,00*
db-ként
 
 db
91%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 1 916,00*
db-ként
 
 db
91%
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. A szilícium-karbid anyag kiemelkedő hőtulajdonságokka...
ST Microelectronics
SCT20N120H
kezdő: HUF 3 464,00*
db-ként
 
 db
91%
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT10N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120H
kezdő: HUF 2 293,00*
db-ként
 
 db
91%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 4 577,00*
db-ként
 
 db
91%
MOSFET, 2 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Si (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi területr...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
kezdő: HUF 4 272,00*
db-ként
 
 db
91%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCTWA30N120
kezdő: HUF 8 080,00*
db-ként
 
 db
91%
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 574,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.