Teljesítmény tranzisztor a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (48/1 151 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 3,5 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (2 ajánlat)

A Infineon sorozat ötödik generációs HEXFET International Rectifier hasznosítani Advanced feldolgozási technikák elérése rendkívül alacsony ellenállás szilícium területen. Ez az előnyök, valamint a...

Infineon

IRF9956TRPBF

kezdő: HUF 72,00*
db-ként

Modul; szimpla tranzisztor; 1,2kV; 15A; SOT227B; csavarható; 540W (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 1,83µs Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 15A Ellenállás vezetési állapotban: 0,9Ω Teljesítmény elosz...

IXYS

IXTN17N120L

kezdő: HUF 19 871,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 200 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Si (1 ajánlat)

A Infineon OptiMOS™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET. Ezek az eszközök tökéletes választást jelentenek a nehezen kapcsolható alkalmazásokhoz, mint például a távközlés, az ipari tápegységek,...

Infineon

BSC350N20NSFDATMA1

kezdő: HUF 633,00*
db-ként

Modul; szimpla tranzisztor; 250V; 168A; SOT227B; csavarható; 900W (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 200ns Drén - forrás feszültség: 250V Drén áram: 168A Ellenállás vezetési állapotban: 12,9mΩ Teljesítmény elos...

IXYS

IXFN180N25T

kezdő: HUF 6 593,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 60 V, 8-tüskés, TSDSON-8 FL OptiMOS™ Si (1 ajánlat)

A Infineon OptiMOS™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET. Kiválóan alkalmas vezeték nélküli töltés, adapter és telekommunikációs alkalmazásokhoz. Az eszközök alacsony kapu töltés (Q g) csökkent...

Infineon

BSZ099N06LS5ATMA1

kezdő: HUF 192,00*
db-ként

Modul; szimpla tranzisztor; 500V; 53A; SOT227B; csavarható; 735W (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 980ns Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 53A Ellenállás vezetési állapotban: 0,1Ω Teljesítmény elosztá...

IXYS

IXTN60N50L2

kezdő: HUF 14 339,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 NTHL Si (2 ajánlat)

A ON Semiconductor MOSFET vadonatúj−, nagyfeszültségű szuper−junction MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú ellenálláshoz és az als...

onsemi

NTHL065N65S3HF

kezdő: HUF 2 126,00*
db-ként

Modul; szimpla tranzisztor; 150V; 220A; SOT227B; csavarható; 600W (1 ajánlat)

Gyártó: DACO Semiconductor Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 150V Drén áram: 220A Ellenállás vezetési állapotban: 3,2mΩ Teljesítmény elosztás: 600W...

DACO Semiconductor

DAMI360N150

kezdő: HUF 12 796,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 650 V, 12-tüskés, APMCD-A16 FAM SiC (1 ajánlat)

A ON Semiconductor FAM65CR51ADZ1 egy teljesítménybe integrált MOSFET modul, amely feszültségnövelő átalakítóval rendelkezik többfázisú és félig megvesztegethetetlen teljesítménytényező-korrekcióhoz...

onsemi

FAM65CR51ADZ2

kezdő: HUF 518 975,33616*
72 db-ként

Modul; szimpla tranzisztor; 1,2kV; 24A; SOT227B; csavarható; 165W (1 ajánlat)

Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 24A Ellenállás vezetési állapotban: 0,1Ω Teljesítmény elosztás: 16...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC080SMA120J

kezdő: HUF 9 966,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 8 x 8 NTMT090N Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...

onsemi

NTMT090N65S3HF

kezdő: HUF 1 559,00*
db-ként

Modul; szimpla tranzisztor; 300V; 210A; SOT227B; csavarható; 695W (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 190ns Drén - forrás feszültség: 300V Drén áram: 210A Ellenállás vezetési állapotban: 4,6mΩ Teljesítmény elosz...

IXYS

IXFN210N30X3

kezdő: HUF 13 300,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 464 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS0D5N Si (1 ajánlat)

A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 464 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Kiváló hővezetési és javítja a rendszer hatékonyságát.Advanced csomag (5x6 mm) Rendkívül a...

onsemi

NTMFS0D5N03CT1G

kezdő: HUF 708,00*
db-ként

Modul; szimpla tranzisztor; 500V; 62A; SOT227B; csavarható; 800W (2 ajánlat)

Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 0,5µs Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 62A Ellenállás vezetési állapotban: 0,1Ω Teljesítmény elosztá...

IXYS

IXTN62N50L

kezdő: HUF 22 787,00*
db-ként

Infineon IPD50R800CE tranzisztor 500 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD50R800CEAUMA1

kezdő: HUF 171 551,00*
2 500 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .. 1151 előre

Teljesítmény tranzisztor (17 252 ajánlat 4 364 953 cikkből)

"Teljesítmény tranzisztor"