 | | | | |
Kép | | | | Megrendelés |
|
|
|
|
|
kezdő: HUF 4 380,00*
db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 14 608,02*
3 000 db-ként |
|
|
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3 (1 ajánlat) Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 3kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 12A Kollektoráram az impulzusban: 100A Kapcsolási idő: 460ns Kikapcsolá... |
|
kezdő: HUF 8 747,00*
db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 14 619,00*
3 000 db-ként |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN60BDQ2G |
kezdő: HUF 3 948,00*
db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 19,00*
db-ként |
|
|
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268 (1 ajánlat) Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 kolektor - emitter feszültség: 2,5kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 2A Kollektoráram az impulzusban: 13A Kapcsolási idő: 310ns Kikapcsolási... |
|
kezdő: HUF 5 856,00*
db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 146,00*
db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 7 297,00*
db-ként |
|
|
Digitális tranzisztor PDTC144EQBZ, NPN, 100 mA, 50 V (1 ajánlat) Tranzisztortípus = NPN Maximális DC kollektoráram = 100 mA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 50 V Csomag típusa = DFN1110D–3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Elemek száma chipenként = 3 |
|
kezdő: HUF 44,36*
5 db-ként |
|
|
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 ajánlat) Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268HV kolektor - emitter feszültség: 3kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 42A Kollektoráram az impulzusban: 400A Kapcsolási idő: 652ns Kikapcsolá... |
|
kezdő: HUF 17 004,00*
db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 41 346,00*
5 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 9 221,00*
db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 32,00*
db-ként |
|
|
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV (1 ajánlat) Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247HV kolektor - emitter feszültség: 3kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 88A Kapcsolási idő: 805ns Kikapcsolás... |
|
kezdő: HUF 22 700,00*
db-ként |
|
|
