Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > Tranzisztor

  Tranzisztor  (10 626 ajánlat 4 345 934 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Alárendelt fogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Infineon FP200R12N3T7B11BPSA1 IGBT, 200 A, 1200 V (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 200 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW
Infineon
FP200R12N3T7B11BPSA1
kezdő: HUF 71 197,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 10A; 280W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 84A Kapcsolási idő: 21ns Kikapcsolá...
IXYS
IXYH10N170CV1
kezdő: HUF 3 315,00*
db-ként
 
 db
Infineon FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT, 50 A, 1200 V, AG-ECONO2B-411 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 280 W Csomag típusa = AG-E...
Infineon
FP50R12KT4B11BPSA1
kezdő: HUF 35 592,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF900R12IP4BOSA2 IGBT-modul, 900 A, 1200 V 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 900 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 5,1 kW
Infineon
FF900R12IP4BOSA2
kezdő: HUF 553 723,20*
3 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: BASiC SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 50A Kollektoráram az impulzusban: 200A Kapcsolási idő: ...
BASiC SEMICONDUCTOR
BGH50N65HF1
kezdő: HUF 2 813,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF900R12IE4BOSA1 IGBT-modul N-csatornás, 900 A, 1200 V, 10-tüskés, PrimePACK2 Sorba kötött (2 ajánlat) 
IGBT modulok, Infineon. Az IGBT modulok Infineon tartománya alacsony kapcsolási veszteséget kínál akár 60 Khz-es frekvenciákra történő kapcsoláshoz. Az IGBT-k a különböző teljesítménymodulok között...
Infineon
FF900R12IE4
kezdő: HUF 154 202,00*
db-ként
 
 db
Infineon IHW15N120E1XKSA1 IGBT N-csatornás, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, PG-TO247 1 Egyszeres (2 ajánlat) 
A Infineon IHW15N120E1 nagy teljesítményű, teljes monolitikus testdióda alacsony előfeszültséggel, amelyet csak puha kommutációra terveztek, és nagyfokú robusztussága, hőmérséklet-stabilitása alacs...
Infineon
IHW15N120E1XKSA1
kezdő: HUF 585,00*
db-ként
 
 db
Infineon FP25R12KE3BPSA1 IGBT N-csatornás, 40 A, 1200 V, 20-tüskés 7 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 40 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 155 W Kiosztás = Közös emi...
Infineon
FP25R12KE3BPSA1
kezdő: HUF 37 332,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 24A; 500W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 24A Kollektoráram az impulzusban: 140A Kapcsolási idő: 47ns Kikapcsol...
IXYS
IXYH24N170CV1
kezdő: HUF 4 263,00*
db-ként
 
 db
Infineon FP50R12KT4PBPSA1 IGBT-modul N-csatornás, 50 A, 1200 V, EASY2B 7 (1 ajánlat) 
A Infineon EasyPIM háromfázisú bemeneti IGBT-modul TRENCHSTAP IGBT4 technológiával. A kollektor emitter feszültsége 1200 V, és az előremeneti áram 50 A. Szervomotorban, motorvezérlésben és meghajtá...
Infineon
FP50R12KT4PBPSA1
kezdő: HUF 36 403,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247HV (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247HV kolektor - emitter feszültség: 2,5kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 12A Kollektoráram az impulzusban: 80A Kapcsolási idő: 32ns Kikapcsolá...
IXYS
IXYH12N250CV1HV
kezdő: HUF 6 925,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF900R12ME7B11NPSA1 IGBT, 900 A, 1200 V, AG-ECONOD-711 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 900 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Csomag típusa = AG-ECONOD-711
Infineon
FF900R12ME7B11NPSA1
kezdő: HUF 93 312,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 (1 ajánlat) 
Gyártó: BASiC SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO247-4 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 300A Kapcsolási idő: ...
BASiC SEMICONDUCTOR
BGH75N65ZF1
kezdő: HUF 3 013,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 IGBT N-csatornás, 900 A, 1200 V, AG-ECONOD Közös emitter (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 900 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW Csomag típusa = AG-E...
Infineon
FF900R12ME7B11BOSA1
kezdő: HUF 558 315,50004*
6 db-ként
 
 csomag
Infineon IHW40N120R5XKSA1 IGBT, 80 A, 1200 V, 3-tüskés, PG-TO247-3 (2 ajánlat) 
A Infineon szigetelt kapus bipoláris tranzisztor nagy teljesítményű monolitikus testtel, alacsony előfeszültségű, puha kommutációra tervezve.Nagy hatékonyság Alacsony kapcsolási veszteségek Nagyobb...
Infineon
IHW40N120R5XKSA1
kezdő: HUF 911,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   331   332   333   334   335   336   337   338   339   340   341   ..   709   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.