MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1031988

Gyártói szám:
STD7NM60N

EAN/GTIN:
5059042010701

Keresőfogalmak:

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	600 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Sorozat:	MDmesh
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	900 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	45 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-25 V, +25 V
Hossz:	6.6mm

További keresőfogalmak: 1031988, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, STMicroelectronics, STD7NM60N

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 729 129,00*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 500 db (kezdő: HUF 291,6516* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.