MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1219622

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN65D8L-7

EAN/GTIN:
5059043265223

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	310 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	4 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	540 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	3mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1219622, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN65D8L7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 24 649,02*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 8,21634* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.