MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1349723

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIR632DP-T1-RE3

EAN/GTIN:
5059040665910

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, TrendFET akár Gen III, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	29 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	150 V
Csomag típusa:	PowerPAK SO-8
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	41 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	69,5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.25mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 1349723, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIR632DPT1RE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 558,10*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 311,62* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.