Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

MOSFET, 1 elem/chip, 97 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     4GUDN-1458932
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRFS4410ZTRLPBF
EAN/GTIN:
     5059043775029
Keresőfogalmak:
Teljesítmény-MOSFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
mosfet 100v
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
97 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
100 V
Csomag típusa:
D2PAK (TO-263)
Sorozat:
HEXFET
Rögzítés típusa:
Felületre szerelhető
Tüskék száma:
3
Maximális nyelő forrásellenállás:
9 mΩ
Csatorna mód:
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:
4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:
2V
Maximális teljesítménydisszipáció:
230 W
Tranzisztorkonfiguráció:
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:
-20 V, +20 V
Hossz:
10.67mm
További keresőfogalmak: 1458932, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRFS4410ZTRLPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 431,00*
  
Az ár 400 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 800 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 800 db
HUF 482,00*
HUF 612,00
db-ként
kezdő: 1600 db
HUF 455,00*
HUF 578,00
db-ként
kezdő: 4000 db
HUF 447,00*
HUF 568,00
db-ként
kezdő: 8000 db
HUF 440,00*
HUF 559,00
db-ként
kezdő: 400000 db
HUF 431,00*
HUF 547,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.