MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 120 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1459320

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPP041N12N3 G

EAN/GTIN:
5059043038742

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	120 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	120 V
Csomag típusa:	TO-220
Sorozat:	OptiMOS™ 3
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	4,1 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	300 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.36mm

További keresőfogalmak: 1459320, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPP041N12N3G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 69 364,30*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 50 db (kezdő: HUF 1 387,286* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.