MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1652723

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIR462DP-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040654921

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	19 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	PowerPAK SO-8
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	8 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	4,8 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	4.9mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: Tranzisztor, teljesítmény tranzisztor, 1652723, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIR462DPT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 149,00*

Az ár 1 500 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 3 000 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.