MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1652752

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI4840BDY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040702592

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	10 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	40 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	9 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,56 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, mosfet 40v, 1652752, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI4840BDYT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 210,00*

Az ár 1 250 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 2 500 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.