MOSFET, 2 elem/chip, 6 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Közös elvezető Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1656339

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SI7900AEDN-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040763906

Keresőfogalmak:

Két N-csatornás MOSFET, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	6 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	PowerPAK 1212-8
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	36 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Közös elvezető
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	3.15mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 1656339, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SI7900AEDNT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 169,00*

Az ár 1 500 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 3 000 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.