MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) FDmesh Egyszeres Si

Mennyiség:

csomagok

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1656595

Gyártói szám:
STD13NM60ND

EAN/GTIN:
5059042520644

Keresőfogalmak:

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	11 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	600 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Sorozat:	FDmesh
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	380 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	109 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-25 V, +25 V
Hossz:	6.6mm

További keresőfogalmak: 1656595, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, STMicroelectronics, STD13NM60ND

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 353,355*

Az ár 5 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 670,671* db-ként)

Megrendelések csak a 500 csomagok többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.