MOSFET, 1 elem/chip, 7,7 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1657220

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIHLR120TR-GE3

EAN/GTIN:
5059040650886

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	7,7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	380 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	42 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-10 V, +10 V
Hossz:	6.73mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1657220, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIHLR120TRGE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 337 577,00*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 000 db (kezdő: HUF 168,7885* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.