MOSFET, 1 elem/chip, 500 mA, 12 V, 3-tüskés, X2-DFN0806 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomagok

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1658375

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN1260UFA-7B

EAN/GTIN:
5059043199948

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	500 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	12 V
Csomag típusa:	X2-DFN0806
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	1,5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	360 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-8 V, +8 V
Hossz:	0.65mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 1658375, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN1260UFA7B

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 93,415*

Az ár 1 000 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 18,683* db-ként)

Megrendelések csak a 2 000 csomagok többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.