MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1658397

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN10H099SK3-13

EAN/GTIN:
5059043986661

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	17 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	99 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	34 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 1658397, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN10H099SK313

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 91,00*

Az ár 1 250 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 2 500 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.