MOSFET, 1 elem/chip, 7,5 A, 30 V, 6-tüskés, TSOT-26 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1658744

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMG6402LVT-7

EAN/GTIN:
5059043988559

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	7,5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	TSOT-26
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	42 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,75 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	2.9mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1658744, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMG6402LVT7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 79 964,01*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 26,65467* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.