MOSFET, 1 elem/chip, 1,8 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-223 OptiMOS™ Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1661014

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
BSP372NH6327XTSA1

EAN/GTIN:
5059043303505

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™ kis jel MOSFET-ek

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1,8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	SOT-223
Sorozat:	OptiMOS™
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	270 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1.8V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.8V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,8 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.5mm

További keresőfogalmak: 1661014, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, BSP372NH6327XTSA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 108 869,00*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 1 000 db (kezdő: HUF 108,869* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.