MOSFET, 1 elem/chip, 10,2 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1662620

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
FDS8878

EAN/GTIN:
5059042238327

Keresőfogalmak:

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	10,2 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOIC
Sorozat:	PowerTrench
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	14 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 1662620, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, FDS8878

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 71,00*

Az ár 1 250 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 2 500 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.