MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 12 V, 3-tüskés, X1-DFN1006 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomagok

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1697186

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN1150UFB-7B

EAN/GTIN:
5059043761558

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1,4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	12 V
Csomag típusa:	X1-DFN1006
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	210 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	500 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-6 V, +6 V
Hossz:	1.08mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1697186, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN1150UFB7B

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 106,92*

Az ár 1 000 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 21,384* db-ként)

Megrendelések csak a 2 000 csomagok többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.