MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1697466

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMN6066SSS-13

EAN/GTIN:
5059043811154

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	97 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,81 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1697466, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN6066SSS13

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 104,00*

Az ár 1 250 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 2 500 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.