MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ 3 Egyszeres

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1711939

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPD068N10N3GATMA1

EAN/GTIN:
5059043812458

Keresőfogalmak:

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	90 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	TO-252
Sorozat:	OptiMOS™ 3
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	12,3 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	150 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	20 V
Hossz:	6.73mm

További keresőfogalmak: 1711939, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPD068N10N3GATMA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 856,70*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 385,67* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.