MOSFET, 1 elem/chip, 960 mA, 200 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1777608

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFL210TRPBF

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	960 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	SOT-223
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	1,5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	3,1 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.7mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1777608, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFL210TRPBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 505 289,50*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 500 db (kezdő: HUF 202,1158* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.