AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 9,4 A, 200 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1783718

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SQJ431AEP-T1_GE3

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

TrenchFET® power MOSFET

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	9,4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	PowerPAK SO-8L
Sorozat:	TrenchFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	760 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	68 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	±20 V
Hossz:	5.99mm

További keresőfogalmak: 1783718, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay Siliconix, SQJ431AEPT1_GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 205,00*

Az ár 1 500 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 3 000 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.