MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SUPERFET III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmény érdekében töltéskiegyenlítési technológiát használ. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. Következésképpen az egyszerű hajtások SUPERFET III MOSFET sorozata segít az elektromágneses interferencia miatt fellépő problémák kezelésében és egyszerűbb szerkezeti megvalósítást tesz lehetővé.700 V TJ = 150 °C mellett Alacsony effektív kimeneti kapacitás (jell. Coss(eff.) = 439 pF) Ultrakicsi kaputöltés (jell. Qg = 46 nC) Optimalizált kapacitás Jell. RDS(be) = 105 mΩ Belső kapuellenállás: 0,5 Ω Előnyök: Nagyobb rendszer-megbízhatóság alacsony hőmérsékleten Kis kapcsolási veszteség Kis kapcsolási veszteség Alacsonyabb csúcs Vds és alacsonyabb Vgs-oszcilláció Alkalmazások: Számítástechnika Szórakoztató elektronika Ipari Végtermékek: Notebook / asztali számítógép / játékkonzol Távközlés/kiszolgálók Szünetmentes tápegység / napelem LED-világítás/előtét