MOSFET, 1 elem/chip, 157 A, 80 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres

On Semiconductor MOSFA ON Semiconductor DFN5 felületszerelt N-csatornás MOSFET egy új, a 80 V-os ürítőforrásfeszültséggel és 20 V-os maximális kapuforrásfeszültséggel rendelkező termék Az ürítőforrás ellenállása 2,8 mohm 10 V kapuforrásfeszültségen Maximális folyamatos ürítőárama 157A, maximális teljesítménye pedig 166W. A MOSFET meghajtó feszültsége 10 V. A MOSFET-et a kisebb kapcsolási és vezetési veszteségekre optimalizálták. A MOSFET kiemelkedő hatékonyságot és hosszú és termelékeny élettartamot kínál anélkül, hogy a teljesítmény vagy a funkció rovására menne.Funkciók és előnyök• Jármű-ipari MOSFET • Kompakt és hatékony kialakítás • Nagy hőteljesítmény • Ólommentes (Pb) • Alacsony QG és kapacitásuk a vezető veszteségeinek minimalizálására • Alacsony RDS (be) a vezetőveszteség csökkentése érdekében • Csökkenti a vezető veszteségét • A működési hőmérsékleti tartomány -55°C és 175°C között van • Nedvesíthető lágyítási lehetőség a még jobb optikai vizsgálat érdekébenAlkalmazások• DC-DC átalakító • Terhelés kapcsoló • Motor vezérlés • Teljesítmény kapcsolók (magas felszereltségi szintű meghajtó, alacsony oldali meghajtó, H-híd stb.) • Tápegységek váltásaTanúsítványok• AEC-Q101 • ANSI/ESD S20.20:2014 BS EN 61340-5-1:2007