Dióda 18A, 650V SiC Schottky, SiC Schottky, 3-tüskés, TO-252

A szilícium-karbid (SiC) Schottky-diódák olyan teljesen új technológiát használnak, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és nagyobb fokú megbízhatóságot biztosít a szilíciumhoz képest. A fordított helyreállási áram hiánya, a hőmérséklet-független kapcsolási karakterisztika és a kiváló termikus teljesítmény a szilícium-karbidot a teljesítmény-félvezetők következő generációjává teszi. A rendszer előnyei közé tartozik a legnagyobb hatékonyság, a gyorsabb működési frekvencia, a nagyobb teljesítménysűrűség, a kisebb EMI, valamint a kisebb rendszerméret és költség.Max. illesztési hőmérséklet 175 °C Nagy lökőáram-kapacitás Pozitív hőmérsékleti együttható Nincs fordított helyreállás / Nincs előreirányú helyreállás Alkalmazások PFC Ipari tápellátás Napelem EV (elektromos jármű) töltő Szünetmentes tápegység (UPS) Hegesztés