MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres

Ez az n-csatornás MV MOSFET a Fairchild Semiconductor továbbfejlesztett PowerTrench® folyamatának használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják a bekapcsoláskori ellenállás mértékét, mégis fenntartják a diódatest egyedi puhaságát.Védett kapus MOSFET technológia Max. rDS(on) = 6,8 mΩ VGS = 10 V és ID = 21 A esetén Max. rDS(on) = 11,1 mΩ VGS = 4,5 V és ID = 17 A esetén 5 V-os hajtásra alkalmas 50%-kal kisebb Qrr érték, mint más MOSFET-beszállítók termékeinél Csökkenti a kapcsolási zajt / az elektromágneses interferenciát MSL1 típusú, robusztus tokkialakítás Kettős hűtésre alkalmas tok Alkalmazások Primer oldali DC–DC MOSFET Szinkron egyenirányító a DC–DC és az AC–DC egységben Motormeghajtó Napelem