Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > Cikk

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 NDT451AN Egyszeres Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     4GUDN-1787632
Gyártó:
     onsemi
Gyártói szám:
     NDT451AN
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MOS technológiával történik. Ezt a nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen az állapot ellenállása, továbbá robusztus és megbízható teljesítményt és gyors kapcsolást biztosítson.
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
7,2 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
30 V
Csomag típusa:
SOT-223
Sorozat:
NDT451AN
Rögzítés típusa:
Felületre szerelhető
Tüskék száma:
3
Maximális nyelő forrásellenállás:
0.035 Ω
Csatorna mód:
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:
3V
Minimális kapu küszöbfeszültség:
1V
Maximális teljesítménydisszipáció:
3 W
Tranzisztorkonfiguráció:
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:
-20 V, +20 V
Hossz:
6.7mm
További keresőfogalmak: 1787632, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, NDT451AN
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 155,00*
  
Az ár 2 000 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 4 000 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 4000 db
HUF 166,00*
HUF 211,00
db-ként
kezdő: 8000 db
HUF 165,00*
HUF 210,00
db-ként
kezdő: 20000 db
HUF 160,00*
HUF 203,00
db-ként
kezdő: 40000 db
HUF 157,00*
HUF 199,00
db-ként
kezdő: 2000000 db
HUF 155,00*
HUF 197,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.