|  |
| |
| Cikkszám:
4GUDN-1826901 Gyártói szám:
DMN62D1LFB-7B EAN/GTIN:
nincs adat |
| |
|
| | |
| Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesítménykezelő alkalmazásokhoz.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Alacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsolási sebesség Alacsony Bemeneti/Kimeneti Szivárgás ESD-védelem Ólommentes Technológia Halogén- és antimonmentes. „Zöld”; eszköz Alkalmazás Terheléskapcsoló További információk: | | Csatorna típusa: | N | Maximális folyamatos nyelőáram: | 407 mA | Maximális nyelő forrásfeszültség: | 60 V | Csomag típusa: | X1-DFN1006 | Rögzítés típusa: | Felületre szerelhető | Tüskék száma: | 3 | Maximális nyelő forrásellenállás: | 3 mΩ | Csatorna mód: | Növekményes | Maximális kapu küszöbfeszültség: | 1V | Minimális kapu küszöbfeszültség: | 0.6V | Maximális teljesítménydisszipáció: | 500 mW | Tranzisztorkonfiguráció: | Egyszeres | Maximális kapu forrásfeszültség: | ±20 V | Hossz: | 1.07mm | Maximális működési hőmérséklet: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| További keresőfogalmak: 1826901, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMN62D1LFB7B |
| | |
| |