MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, USM Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-184688

Gyártó:
Toshiba

Gyártói szám:
SSM3K7002FU(F)

EAN/GTIN:
5059041867979

Keresőfogalmak:

MOSFET N-csatornás, SSM3K sorozatú, Toshiba

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	200 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	USM
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	3 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	150 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 184688, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Toshiba, SSM3K7002FU(F)

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 553,50*

Az ár 15 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 25 db (kezdő: HUF 22,14* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.