MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres

Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SUPERFET III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmény érdekében töltéskiegyenlítési technológiát használ. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. Következésképpen a SUPERFET III MOSFET a miniatürizálás és a nagyobb hatékonyság érdekében nagyon alkalmas különböző teljesítményrendszerekhez. A felülúszó FET III FRFET MOSFET teljesültre optimalizált hátrameneti végteljesítménye a testdiódából a kiegészítő alkatrészeket is eltávolíthatja, és javíthatja a rendszer megbízhatóságát.700 V TJ = 150 °C esetén Ultra Alacsony Kapu Töltés (Typ. Qg = 62 NC) Alacsony Hatásfokú Kimeneti Kapacitás (Typ. COSS (eff.) = 522 PF) Kiváló teljesítményű beépített dióda (alacsony Qrr, robusztus beépített dióda) Optimalizált kapacitás Typ. RDS(bekapcsolva) = 98 mΩ Nagyobb rendszer-megbízhatóság alacsony hőmérsékleten Alacsonyabb kapcsolási veszteségek Megbízhatóbb rendszer az LLC-ben és a fáziseltolás teljeshidas áramkörében Alacsonyabb csúcs Vds és alacsonyabb Vgs-oszcilláció Alkalmazások Telekommunikáció Felhőrendszer Ipari Végtermékek Telekommunikációs tápellátás Kiszolgáló tápellátása EV (elektromos jármű) töltő Napelem/szünetmentes tápegységek