MOSFET, 2 elem/chip, 6-tüskés, TSOT-23

Ezek az N-Channel 100 V MOSFET-ek fejlett Advanced PowerTTrench eljárás keretében készülnek, amelyet kifejezetten a lehető legkisebb ellenállással és mégis alacsony kapus-díjjal kínálnak a kiváló kapcsolási teljesítményhez. Ezeket az eszközöket úgy tervezték, hogy különlegesen kis helyigény mellett képesek legyenek kiváló energiaelnyelésre olyan alkalmazásoknál, ahol a nagyobb ár 8 és TSSOP-8 csomagok nem praktikus.1,0 A, 100 V RDS(on) = 500 mΩ@ VGS = 10 V RDS(on) = 550 mΩ VGS = 6 V esetén Alacsony kamraajtó töltés (tipikus érték: 3,7nC) Gyors kapcsolási sebesség Nagy teljesítményű árok technológia a rendkívül alacsony RDS-értékekhez(BE) SuperSOT™-6 csomag: Kis helyigénye 72% (kisebb, mint a szabvány szerinté-8), alacsony profilú (1 mm vastag) Alkalmazások Ez a termék általános célú felhasználásra készült, és számos különböző alkalmazáshoz megfelel.