Kategóriák
Irodai kellékek
Hardver, szoftver, telekommunikáció
Szerszámok, Szerszámgépek
Elektronika, elektrotechnika
Üzemi felszerelés, raktári felszerelés
Munkavédelem
Műszaki kereskedelem
Egészségügy, terápia, labor
Háztechnika, épülettechnika
Szállítás, csomagolás
Hotel, vendéglátás, étel, ital
Takarítóeszközök
További kategóriák
Magyarország
Magyar
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Bejelentkezni
Új ügyfél?
Regisztráljon most
>
Profil
Rendelési archívum
Bevásárlólisták
Beszerzési igénylések
Kosár
Nyitólap
>
Elektronika, elektrotechnika
>
Aktív komponensek
>
Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok
>
Tranzisztor
>
MOSFET
>
Cikk
MOSFET, 2 elem/chip, 52 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SCD Közös elvezető
Mennyiség:
csomag
Termékinformációk
Ablak bezárása
Cikkszám:
4GUDN-1885025
Gyártó:
Vishay
Gyártói szám:
SiSF20DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
5059045841173
Keresőfogalmak:
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = N
Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V
Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SCD
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 18 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 3V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 1V
Maximális teljesítménydisszipáció = 69,4 W
Tranzisztorkonfiguráció = Közös elvezető
Maximális kapu forrásfeszültség = ±20 V
Maximális működési hőmérséklet = +150 °Cmm
Magasság = 0.75mm
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
52 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
60 V
Csomag típusa:
PowerPAK 1212-8SCD
Rögzítés típusa:
Felületre szerelhető
Tüskék száma:
8
Maximális nyelő forrásellenállás:
18 mΩ
Csatorna mód:
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:
3V
Minimális kapu küszöbfeszültség:
1V
Maximális teljesítménydisszipáció:
69,4 W
Tranzisztorkonfiguráció:
Közös elvezető
Maximális kapu forrásfeszültség:
±20 V
Hossz:
3.4mm
Maximális működési hőmérséklet:
+150 °C
... >
Félvezetők
>
Diszkrét félvezetők
>
MOSFET-ek
További keresőfogalmak:
1885025
,
Félvezetők
,
Diszkrét félvezetők
,
MOSFET-ek
,
Vishay
,
SiSF20DNT1GE3
A kondíciók áttekintése
1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 1 274,50*
Az ár 7 500 csomagok-től érvényes
1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 254,90* db-ként)
Részletes információk
Cikk megosztása
Cikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 csomag
HUF 3 475,90*
HUF 4 414,393
csomag-ként
kezdő: 5 csomagok
HUF 3 350,90*
HUF 4 255,643
csomag-ként
kezdő: 10 csomagok
HUF 2 865,80*
HUF 3 639,566
csomag-ként
kezdő: 20 csomagok
HUF 2 780,80*
HUF 3 531,616
csomag-ként
kezdő: 25 csomagok
HUF 2 318,40*
HUF 2 944,368
csomag-ként
kezdő: 50 csomagok
HUF 1 809,40*
HUF 2 297,938
csomag-ként
kezdő: 100 csomagok
HUF 1 514,50*
HUF 1 923,415
csomag-ként
kezdő: 7500 csomagok
HUF 1 274,50*
HUF 1 618,615
csomag-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.
Rólunk
Ügyfélszolgálat
Sajtóközlemény
Karrier
ÁSZF
Impresszum
Adatvédelem
Fenntarthatóság
Adatvédelmi beállítások