MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-193795

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFN36N100

EAN/GTIN:
5059041195195

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ sorozat

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	36 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	1000 V
Csomag típusa:	SOT-227
Sorozat:	HiperFET
Rögzítés típusa:	Csavaros rögzítés
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	240 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	700 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	38.23mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 193795, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFN36N100

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 20 798,00*

Az ár 500 db-től érvényes

Sávos árak