AEC-Q100 Flash memória S29GL01GS11TFI010 CFI, 1024Mbit, 128 M x 8 bit, 110ns, 2,7 V – 3,6 V, 56-tüskés, TSOP

CMOS 3,0 V-os mag Sokoldalú i/O-val 65 nm MirrorBit Eclipse technológia Egyvezetékes táplálás (VCC) a beolvasáshoz / programozáshoz / törléshez (2,7 V - 3,6 V) Sokoldalú i/O funkció Széles i/O feszültségtartomány (VIO): 1,65 V - VCC x16 adatbusz Aszinkron, 32 bájtos lapolvasás 512 bájtos programozási puffer A programozás az oldal többszörösei szerint történik, maximum 512 bájt Egyetlen szó és több program ugyanazon szóbeállításoknál Automatikus hibaellenőrzés és -Javítás (ECC) Belső ECC hardverhiba-korrekcióval Szektor Törlése Egységes 128 KB-os szektorok A program- és az Erase-műveletek felfüggesztése és folytatása Állapotnyilvántartás, Adatlekérdezés és üzemkész/Foglalt PIN-módszerek az eszköz állapotának meghatározásához Advanced Sector Protection (Asp Illékony és nem illékony védelmi módszerek minden ágazatban Különálló 1024 bájtos Egypontos programtömb (OTP), két zárható régióval Közös Flash interfész (CFI) paramétertáblázat Hőmérsékleti Tartomány / Fokozat Ipari (-40 °C-tól +85 °C-ig) Ipari Plus(-40 °C és +105 °C között) 100 000 Program / Erase Ciklus 20 Év Adatmegőrzés Csomagolási Lehetőségek 56 tűs TSOP 64-golyós LAA-Val Dúsított BGA, 13 mm x 11 mm 64-golyós LAE Dúsított BGA, 9 mm x 9 mm 56 bálás VBU Dúsítás, 9 mm x 7 mm