Dióda 9.1A, 650V SiC Schottky, SiC Schottky, 3-tüskés, DPAK

A szilícium-karbid (SiC) Schottky-diódák olyan teljesen új technológiát használnak, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és nagyobb fokú megbízhatóságot biztosít a szilíciumhoz képest. A fordított helyreállási áram hiánya, a hőmérséklet-független kapcsolási karakterisztika és a kiváló termikus teljesítmény a szilícium-karbidot a teljesítmény-félvezetők következő generációjává teszi. A rendszer előnyei közé tartozik a legnagyobb hatékonyság, a gyorsabb működési frekvencia, a nagyobb teljesítménysűrűség, a kisebb EMI, valamint a kisebb rendszerméret és költség.Nagy UIS, hullámzó áram és lavina Magas csatlakozó hőmérséklet Alacsony Vf Nincs Qrr 49mJ, 25C-on Tj = 175C 1,41V <100nC Alkalmazások PFC