Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 18 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB EF


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     4GUDN-2006819
Gyártó:
     Vishay
Gyártói szám:
     SIHP186N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
650v mosfet
A Vishay SIHP186N60EF-GEO3 egy EF sorozatú teljesítmény MOSFET gyors testdiódával.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Lavinaenergia-besorolású (UIS)
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
12 A, 18 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
650 V
Csomag típusa:
TO-220AB
Sorozat:
EF
Rögzítés típusa:
Furatszerelt
Tüskék száma:
3
Maximális nyelő forrásellenállás:
0.193 OHM
Csatorna mód:
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:
5V
Elemek száma chipenként:
1
További keresőfogalmak: 2006819, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIHP186N60EFGE3
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 707,00*
  
Az ár 30 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 10 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 10 db
HUF 1 196,00*
HUF 1 519,00
db-ként
kezdő: 20 db
HUF 1 108,00*
HUF 1 407,00
db-ként
kezdő: 50 db
HUF 948,00*
HUF 1 204,00
db-ként
kezdő: 100 db
HUF 872,00*
HUF 1 107,00
db-ként
kezdő: 200 db
HUF 854,00*
HUF 1 085,00
db-ként
kezdő: 250 db
HUF 801,00*
HUF 1 017,00
db-ként
kezdő: 30000 db
HUF 707,00*
HUF 898,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.