| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Cikkszám: 4GUDN-2010881 Gyártói szám: STPSC4H065B-TR EAN/GTIN: nincs adat |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Az STMicroelectronics 650 V-os, nagy teljesítményű szilíciumkarbid-teljesítményű kétárbocos dióda névleges árama 4 a. Ez egy rendkívül nagy teljesítményű, kétárbocos dióda. Szilikon-karbid anyag felhasználásával készül. Magas előremeneti túláramtűrő képessége megfelelő robusztusságot biztosít a tranziens fázisok során Ez a SIC dióda a teljesítmény növelését fogja lehetővé tenni erős kapcsolás esetén.Nincs hátrameneti kiegyenlítő díj az alkalmazás áramtartományában A hőmérséklettől független kapcsolási viselkedés Magas előremeneti túláramtűrő képesség Energiatakarékos termék További információk: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Rögzítés típusa: | Felületre szerelhető | Csomag típusa: | D2PAK | Maximális folyamatos továbbítási áram: | 4A | Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség: | 650V | Diódák konfigurációja: | Egyszeres | Tüskék száma: | 2 | Elemek száma chipenként: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | További keresőfogalmak: 2010881, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, Schottky-diódák és egyenirányítók, STMicroelectronics, STPSC4H065BTR |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |