|  |
| |
| Cikkszám:
4GUDN-2010881 Gyártói szám:
STPSC4H065B-TR EAN/GTIN:
nincs adat |
| |
|
| | |
| Az STMicroelectronics 650 V-os, nagy teljesítményű szilíciumkarbid-teljesítményű kétárbocos dióda névleges árama 4 a. Ez egy rendkívül nagy teljesítményű, kétárbocos dióda. Szilikon-karbid anyag felhasználásával készül. Magas előremeneti túláramtűrő képessége megfelelő robusztusságot biztosít a tranziens fázisok során Ez a SIC dióda a teljesítmény növelését fogja lehetővé tenni erős kapcsolás esetén.Nincs hátrameneti kiegyenlítő díj az alkalmazás áramtartományában A hőmérséklettől független kapcsolási viselkedés Magas előremeneti túláramtűrő képesség Energiatakarékos termék További információk: | | Rögzítés típusa: | Felületre szerelhető | Csomag típusa: | D2PAK | Maximális folyamatos továbbítási áram: | 4A | Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség: | 650V | Diódák konfigurációja: | Egyszeres | Tüskék száma: | 2 | Elemek száma chipenként: | 1 |
|
| | |
| | | |
| További keresőfogalmak: 2010881, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, Schottky-diódák és egyenirányítók, STMicroelectronics, STPSC4H065BTR |
| | |
| |