Kategóriák
Irodai kellékek
Hardver, szoftver, telekommunikáció
Szerszámok, Szerszámgépek
Elektronika, elektrotechnika
Üzemi felszerelés, raktári felszerelés
Munkavédelem
Műszaki kereskedelem
Egészségügy, terápia, labor
Háztechnika, épülettechnika
Szállítás, csomagolás
Hotel, vendéglátás, étel, ital
Takarítóeszközök
További kategóriák
Magyarország
Magyar
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Bejelentkezni
Új ügyfél?
Regisztráljon most
>
Profil
Rendelési archívum
Bevásárlólisták
Beszerzési igénylések
Kosár
Nyitólap
>
Elektronika, elektrotechnika
>
Aktív komponensek
>
Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok
>
Tranzisztor
>
Teljesítmény tranzisztor
>
Cikk
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC
Mennyiség:
db
Termékinformációk
Cikkszám:
4GUDN-2010887
Gyártó:
ST Microelectronics
Gyártói szám:
SCTW90N65G2V
EAN/GTIN:
nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
650v mosfet
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses értéke 119A, a forrásellenállás pedig 18 m. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási teljesítmény. A kapcsolási veszteség változása majdnem független a csatlakozási hőmérséklettől.Nagyon magas üzemi csatlakozási hőmérséklet képesség (TJ = 175 °C) Nagyon gyors és robusztus testtel rendelkező dióda Rendkívül alacsony kamraajtó töltés és bemeneti kapacitás
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
119 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
650 V
Csomag típusa:
HiP247
Sorozat:
SCTW90
Rögzítés típusa:
Furatszerelt
Tüskék száma:
3
Maximális nyelő forrásellenállás:
0,024 Ω
Csatorna mód:
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:
5V
Elemek száma chipenként:
1
Tranzisztor anyaga:
SiC
... >
Félvezetők
>
Diszkrét félvezetők
>
MOSFET-ek
További keresőfogalmak:
teljesítmény tranzisztor
,
2010887
,
Félvezetők
,
Diszkrét félvezetők
,
MOSFET-ek
,
STMicroelectronics
,
SCTW90N65G2V
A kondíciók áttekintése
1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 8 253,00*
Az ár 3 000 db-től érvényes
Részletes információk
Cikk megosztása
Cikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 db
HUF 13 146,00*
HUF 16 695,00
db-ként
kezdő: 2 db
HUF 12 556,00*
HUF 15 946,00
db-ként
kezdő: 5 db
HUF 11 456,00*
HUF 14 549,00
db-ként
kezdő: 10 db
HUF 10 632,00*
HUF 13 503,00
db-ként
kezdő: 20 db
HUF 10 271,00*
HUF 13 044,00
db-ként
kezdő: 25 db
HUF 9 693,00*
HUF 12 310,00
db-ként
kezdő: 50 db
HUF 9 234,00*
HUF 11 727,00
db-ként
kezdő: 3000 db
HUF 8 253,00*
HUF 10 481,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.
Rólunk
Ügyfélszolgálat
Sajtóközlemény
Karrier
ÁSZF
Impresszum
Adatvédelem
Fenntarthatóság
Adatvédelmi beállítások